0.7nm要来了，Imec和Intel：分享路线图

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来源：半导体行业观察 英特尔、台积电和三星目前正在将其工艺推进至 1.8nm（18A）和 1.6nm（16A），采用全栅极晶体管（英特尔称之为 RibbonFET），并进一步推进至 14A 节点。对于更远的工艺，imec 一直在研究工艺路线图上下一代互补场效应晶体管 (CFET) 堆叠晶体管。下一步是标准单元，将 CFET 与布线相结合。 本周，imec 将在 2024 年 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM) 上展示其 CFET 标准单元。标准单元包含两行 CFET，中间有一个共享信号布线墙。根据 imec 的设计技术协同优化 (DTCO) 研究，这种双行 CFET 架构的主要优势是简化了工艺，并显著减少了逻辑和 SRAM 单元面积。与传统的单行 CFET相比，新架构允许将标准单元高度从 4T 降低到 3.5T 。 imec 还在 IEDM 上展示了这种双排 CFET 架构的一个关键构建模块：一个功能性单片 CFET，其背面直接接触底部 pMOS 器件的源极/漏 ………………………………