晶圆边缘的缺陷挑战为何越来越突出

文章预览

（本文编译自Semiconductor Engineering） 随着开发尖端芯片的复杂性不断增加，减少晶圆边缘、斜面和背面的缺陷变得至关重要，因为单个缺陷可能会对多个工艺和多芯片封装造成巨大的成本损失的影响。 这种情况因混合键合等工艺的广泛推广而变得更加复杂，这些工艺需要表面完美无瑕，同时在多芯片/芯粒设计中，对可靠性的要求日益增加，潜在缺陷可能导致多个芯粒报废。找出缺陷的根本原因，并确保其不是系统性的、不会对所有晶圆的良率产生影响，可能会导致数月的延误。 在300mm晶圆边缘生产高良率芯片之所以如此困难，原因众多，包括晶圆均匀性、工艺变化以及薄膜应力等多层效应。保持晶圆间的均匀性尤其困难。前沿设计可能需要每片晶圆进行多达1,000个工艺步骤，包括图案化、沉积、蚀刻、CMP和电镀。尽管静电卡盘和晶圆边缘环是专门 ………………………………