二硫化钼高赝电容存储的起源与设计原则，构建高性能水系锌离子电池

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文 献 信 息 Sifan Qiao, Wei Zhang, Yong Gao, Xinyan Zhou, Qing Liang, Zhenhai Xia, Seung Jo Yoo, Jin-Gyu Kim, Oleksandr Bondarchuk, Zhenzhen Zhao, Fuxi Liu, Xin Ge, Chengxiang Huang, He Yang, Hongge Pan, Weitao Zheng, Highly-pseudocapacitive Origin and Design Principles of MoS 2  for High-performance Aqueous Zinc-Ion Storage, Acta Materialia, 2024, 120370. 文 章 链 接 https://doi.org/10.1016/j.actamat.2024.120370 成 果 简 介 吉林大学张伟教授、郑伟涛教授团队联合西安工业大学潘洪革教授团队、澳洲新南威尔士大学碳材料中心夏振海教授团队 ，在 “Acta Materialia” 在线发表论文 “Highly-pseudocapacitive Origin and Design Principles of MoS 2  for High-performance Aqueous Zinc-Ion Storage” 。通过理论计算指导和实验验证相结合的方法，在原子和电子水平上系统地阐明了高赝电容贡献的潜在物理根源，解锁了赝电容类电极材料存储锌离子的设计原则，合理地设计了 ………………………………