Small Methods: 氩等离子体诱导的p型掺杂技术转变MoS2 FETs的运行模式！！

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印度科学理工学院班加罗尔分校Anand Kumar Rai, Mayank Shrivastava发表了题为“ Reconfiguration of Intrinsic Depletion-Mode Characteristics of MoS2 Field-Effect Transistors to High-Performance Enhancement-Mode Operation Using an Argon Plasma-Induced p-Type Doping Technique ”的工作于 Small Methods 期刊上。 本文研究了一种将二硫化钼（MoS2）场效应晶体管（FETs）从其固有的n型耗尽模式（D-mode）特性转变为高性能的增强模式（E-mode）运行的方法。该方法通过氩等离子体处理和随后的氧气浴来实现p型掺杂，从而在MoS2中引入硫空位，并在硫空位处与氧分子化学键合，形成价带附近的浅受主态，实现p型掺杂。此外，氩等离子体处理还降低了MoS2 FETs的接触电阻，有助于实现高性能的顶栅增强模式MoS2 FETs。 研究背景 MoS2基晶体管技术受到其固有的n型行为和缺乏有效的p型掺杂技术的限制，这限制了MoS2 FETs在工业 ………………………………