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点击蓝字 关注我们 为了方便各位同学交流学习,解决讨论问题,我们建立了一些微信群,作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291; 2.告知:姓名-课题组-研究方向,由编辑审核后邀请至对应交流群(生长,物性,器件); 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿,免费宣传成果,发布招聘广告,具体联系人:13162018291(微信同号) 【研究背景】 近年来,二维层状材料(2DLMs),如过渡金属二硫化物(TMDs),展现出了卓越的电子特性,包括原子级薄的结构、厚度依赖的带隙(E g )、无表面悬挂键,以及静电调制能力等。其中MoS 2 由于其优异的电学性能,作为高性能场效应晶体管(FETs)的半导体沟道材料引起了广泛关注。受益于先进的异质结技术和成熟的大规模转移方法,二维/三维混合维度异质结需要晶格失配
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