【半导体】EUV，又一重大突破

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  芯片项目组创始团队招募！◀ 点击查看！  在 NY CREATES 的奥尔巴尼纳米技术综合大楼工作的一组研究人员报告了Low NA 和High NA EUV 图案的最新良率，这显示了通往 2 纳米以下节点的途径。 在过去的几十年里，计算能力的爆炸式增长依赖于晶体管尺寸的不断缩小。硅片上最小图案尺寸的缩小在很大程度上得益于光刻技术的进步。光刻技术利用光、掩模作为设计模板，并在晶圆上浇铸感光材料来定义图案。过去 40 年里，光刻设备的创新使我们能够通过使用更短波长的光和增加机器光学元件的数值孔径 (NA) 来打印越来越小的图案。然而，仅靠这些机器的进步不足以在现实世界的设备中实现它们的最终分辨率。 半导体行业还依赖于计算技术、掩模、材料和工艺的创新，以及新颖的图案化方案。总而言之，这些都有助于提高晶圆上图案所需尺寸和公 ………………………………