莱斯大学Tour教授新发AEM：级联闪蒸焦耳加热(FWF)技术合成高性能神经形态器件α-In2Se3

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· 点击蓝字，关注我们 随着电子设备向小型化、低功耗、高性能方向发展，二维铁电半导体材料因其独特的物理性质在信息存储和处理领域展现出巨大的潜力。二维铁电半导体材料具有原子级的厚度、固有的极化特性以及可调控的能带结构，使其在新型存储器、自旋电子学、神经形态计算等领域具有广泛的应用前景。In2Se3 作为一种典型的二维铁电半导体材料，具有合适的带隙、室温下面内和面外铁电特性以及高居里温度等优点，使其成为构建高性能神经形态计算器件的理想选择。然而，In2Se3 的合成一直面临挑战，传统的合成方法如化学气相沉积 (CVD)、物理气相沉积 (PVD) 等难以实现大量、高质量的 In2Se3 单晶材料的制备，限制了其在实际应用中的发展。 文章简介 2024年11月2 日， 美国莱斯大学的James M. Tour教授 和韩亦沫（Yimo Han）教授等 在《Advanced ………………………………