富士康，布局第四代半导体

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‍ 集微网·爱集微APP，各大主流应用商店均可下载 鸿海（富士康）研究院半导体所，携手阳明交大电子所，双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破，提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温应用领域的高压耐受性能，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。 第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 因其优异的性能，被视为下一代半导体材料的代表。它拥有超宽能隙 (4.8 eV)、超高临界击穿场强 (8 MV/cm) 等特性，较现有的硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等材料具有显著优势，这些特性使得氧化镓特别适用于电动车、电网系统、航空航太等高功率应用场景。 鸿海认为，氧化镓元件将有望成为具有竞争力的电力电子元件，能直接与碳化硅元件竞争。目前中国、日本和美国在氧化镓研究领域处于领先地位。其中，日本已实现 4 英寸和 ………………………………