富士康，布局第四代半导体

主要观点总结

鸿海研究院与阳明交大电子所合作，在第四代半导体材料氧化镓（Ga2O3）的研究上取得重大突破。他们利用磷离子布植和快速热退火技术，成功制造了PN Ga2O3二极体，展现出优异的电性表现。这一突破为高压、高温应用领域的高功率电子元件开辟了新的可能性，未来有望在电动车、电网系统等领域得到应用。该研究成果已发表于高影响力指数的国际顶级材料科学期刊“Materials Today Advances”。

关键观点总结

关键观点1: 合作研究取得重大突破

鸿海研究院与阳明交大电子所联手，在第四代半导体材料氧化镓的研究上取得重要进展，成功制造了PN Ga2O3二极体。

关键观点2: 氧化镓材料的优异性能

氧化镓具有超宽能隙、超高临界击穿场强等特性，适用于高功率应用场景，如电动车和电网系统。

关键观点3: 技术创新与期刊发表

研究团队利用磷离子布植和快速热退火技术实现了突破性技术，相关论文已发表于高影响力指数的顶级材料科学期刊“Materials Today Advances”。

关键观点4: 研究影响与应用前景

此次技术突破为中国台湾在全球化合物半导体产业中的领先地位增添优势，未来有望在更多高压、高温和高频领域得到广泛应用。

文章预览

‍ 集微网·爱集微APP，各大主流应用商店均可下载 鸿海（富士康）研究院半导体所，携手阳明交大电子所，双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破，提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温应用领域的高压耐受性能，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。 第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 因其优异的性能，被视为下一代半导体材料的代表。它拥有超宽能隙 (4.8 eV)、超高临界击穿场强 (8 MV/cm) 等特性，较现有的硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等材料具有显著优势，这些特性使得氧化镓特别适用于电动车、电网系统、航空航太等高功率应用场景。 鸿海认为，氧化镓元件将有望成为具有竞争力的电力电子元件，能直接与碳化硅元件竞争。目前中国、日本和美国在氧化镓研究领域处于领先地位。其中，日本已实现 4 英寸和 ………………………………