2024, ACS Nano——无损Sb₂Te₃拓扑接触：低接触电阻与高光响应的实现

文章预览

文章链接： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.4c07585?ref=recommended 亮点： 1. 拓扑范德华接触的引入 ：使用无损的Sb₂Te₃拓扑范德华接触，实现了超低肖特基势垒和接触电阻，显著改善了二维材料器件的电性能。 2. 拓扑表面态的作用 ：拓扑表面态有效缓解了MIGS效应，增强了器件的电导和光电响应。 3. 高光响应度与快速响应时间 ：实验实现了716 A/W的光响应度和约60 μs的响应时间，展示出在光电子应用中的广阔前景。 摘要 互补金属氧化物半导体技术的不断微缩化在二维（2D）材料与金属电极的界面上带来了诸多挑战，主要 来源于金属诱导的间隙态（MIGS）和肖特基势垒高度（SBH），这极大地阻碍了器件性能 。本文引入了一种创新的 无损Sb₂Te₃拓扑范德华（T-vdW）接触 ，作为二维材料的终极接触电极。我们成功地利用单层和多层WSe₂制造了p型和n型晶 ………………………………