性能提升40%！研究人员在DUV LED领域获得重大突破

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CINNO Research 产业资讯，最近，来自中国武汉大学的研究人员在《 Nano   Letters》期刊上，以“ 氮化铝镓（ AlGaN ）极化超薄隧穿结深紫外发光二极管 ”为论文名介绍了他们在 DUV   LED 领域的一项突破。据介绍，他们通过 一种称为极性超薄隧穿结（ PUTJ ， Polarized   Ultrathin   Junctions ）技术 的开发 ，解决 了 深紫外（ DUV）发光二极管（LED） 研究领域 长期存在的 一个 难题 。样品测试结果显示，他们 实现了在  30 安培每平方厘米 的驱动 电流密度下 ， 工作电压低至  5.8 伏特的创纪录水平， 与此同时，该深紫外发光器件的 光输出功率（ LOP ， Light   Output   Power ）提高了  40%。 该研究团队表示，这一成果的实现主要得益于他们使用了一种极化处理的氮化铝镓 异质结构 ，它能够很好地 改善 器件中 载流子 的 隧穿和电流扩散， 这也 标志着 学术界 在开 ………………………………