UCLA 段镶锋教授团队Precision Chemistry | 精准控制CuₓBi₂Se₃纳米片中的两性掺杂

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英文原题： Precision Control of Amphoteric Doping in Cu x Bi 2 Se 3 Nanoplates 通讯作者： 段镶锋，美国加州大学洛杉矶分校（UCLA） 作者：  Huaying Ren (任华英), Jingxuan Zhou (周靖轩)， Ao Zhang（张翱），Zixi Wu，Jin Cai，Xiaoyang Fu（傅晓阳），Jingyuan Zhou（周劲媛），Zhong Wan（万众），Boxuan Zhou（周博轩），Yu Huang（黄昱） 研究背景 Bi 2 Te 3 、Sb 2 Te 3 和Bi 2 Se 3 等二维层状拓扑绝缘体材料具有独特的狄拉克表面态，该性质在凝聚态物理和材料科学领域引起了广泛的研究兴趣。这些材料的电子特性的系统性调控可以通过在其中掺杂异质原子来实现。例如，铜在Cu x Bi 2 Se 3 中起到了双重作用，插层在Bi 2 Se 3 范德华间隙中的铜（原子或正一价阳离子）通常作为电子供体以增强导电性，而掺杂在Bi 2 Se 3 晶格中的铜离子（+2，占据Bi 2+ 位点）则表现为会减少自由电子的浓度的受体 ………………………………