南京大学余林蔚教授团队基于“液滴阶跃”生长动态可靠制备超细-超短晶硅纳米线沟道高性能薄膜晶体管器件

文章预览

    研究背景 具有高开关比、低亚阈值摆幅的高性能薄膜晶体管 (TFT)器件，是开拓新一代大面积高清显示、柔性电子/传感和脑机接口应用的技术关键。其中，超细、超短晶硅纳米线沟道，由于具有良好的栅控和大电流驱动能力，成为构建高性能TFT器件的理想结构。虽然此类精细沟道结构在“微”电子器件工艺中已成为主流，但却依赖在硅晶圆上的超高精度深紫外/极紫外光刻 (D/EUV)和刻蚀技术，因此无法在大面积“宏”电子器件的大尺寸玻璃或聚合物衬底上应用。如何基于有限的热预算( < 500℃)和较低的光刻精度(>1.5 μm)，集成制备直径小于30 nm、长度小于100 nm的精细纳米沟道，成为开拓新一代高性能TFT器件所面临的关键技术瓶颈。     本文亮点 针对这一挑战，南京大学余林蔚教授、王军转教授和扬州大学胡瑞金老师团队，基于自主创新的面内固 - ………………………………