2024, Nano Letters——接触诱导应变对单层WS₂晶体管电性能的影响解析

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文章链接： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c02616 亮点： 1. 揭示接触尺寸对应变和接触电阻的影响 ：长接触引入较少的接触电阻，与短接触相比性能显著提升，为优化接触电阻提供了新方法。 2. 热退火调控应变 ：热退火可以有效缓解接触诱导应变，提高长接触器件的接触电阻，展示了热处理在器件调控中的潜力。 3. 探索热机械现象对2D材料的影响 ：通过应变与电性能的关联研究，展示了纳米制造与热预算在优化2D半导体器件中的重要作用。             摘要 二维（2D）电子器件需要低接触电阻（R C ）以接近其性能极限。WS₂是一种有前景的2D半导体，通常配合Ni接触使用，但 由于Ni功函数与WS₂导带之间的非理想对齐，其工作机制尚不完全清楚。 在此研究中，我们研究了接触尺寸对纳米级单层WS₂晶体管的影响，并 发现Ni接触引入的应变会影 ………………………………