进入高NA EUV光刻时代

文章预览

本文由半导体产业纵横（ID： I CVIE WS ）编译自IMEC Hyper-NA EUV是光刻技术的明日之星。 在迎来高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影时代之际，比利时微电子研究中心（imec）计算技术与系统/计算系统扩展高级副总裁Steven Scheer谈到了ASML-imec联合高NA EUV光刻实验室对半导体行业的意义。 他重点介绍了哪些应用将从过渡到高NA EUV 中受益，以及这种过渡将如何影响二氧化碳排放。展望未来，他解释了 imec 及其合作伙伴将如何进一步推动高 NA EUV 图案生态系统进入下一代。   为大批量生产准备高 NA EUV 由ASML与imec联手在荷兰费尔德霍温建立的微影实验室正式启用，为推动High-NA EUV技术迈向量产立下了里程碑。存储和逻辑芯片的顶尖制造商现在可以使用首款0.55NA高数值孔径（high-NA）EUV曝光原型机TWINSCAN EXE:5000及周边基础设施，包含涂布及显影机、计量工具、晶 ………………………………