主要观点总结
本文介绍了SiLM266x电荷泵电容配置的应用，针对具有不同数量MOSFET的应用场景，描述了如何配置Charge Pump电容容值。文章详细阐述了SiLM266x系列高边驱动器在驱动多颗MOSFET时面临的挑战，如电荷泵电容的选择和配置、电荷泵开启逻辑等。通过实验结果展示了不同数量MOSFET应用时电荷泵电容值的合理配置，提供了相应的参考表格和图示。
关键观点总结
关键观点1: SiLM266x系列用于驱动多颗MOSFET的应用，以避免电池系统故障。
SiLM266x系列高边驱动器可以帮助电池系统免受故障影响，如电池欠压、过电压或短路等。
关键观点2: 电荷泵电容配置的重要性。
随着MOSFET数量的增加，高边驱动的负载电容也随之增加。因此，需要增加电荷泵电容容值以提供足够的驱动电荷，确保MOSFET可靠开通。
关键观点3: 电荷泵开启逻辑和电容选择。
SiLM266x的电荷泵开启受CP_EN逻辑控制，也与CHG_EN和DSG_EN的控制逻辑有关。在选择电荷泵电容时，必须考虑总充放电MOSFET的等效输入电容，一旦超过一定值（如12nF），建议增加电荷泵电容容值。同时，电荷泵电容应是MOSFET总输入电容的约40倍。
关键观点4: 实验测试结果。
文章通过实验结果展示了不同数量MOSFET应用时电荷泵电容值的合理配置。根据不同数量的MOSFET和应用情况，提供了相应的电荷泵电容值参考表格。同时，展示了测试示意图和实验结果图，以说明不同条件下的系统启动情况。
关键观点5: 总结。
文章总结了SiLM266x的电荷泵可能因高边驱动的负载电容过大或启动过程中的冲击电流过大而导致的问题，并强调了根据MOSFET使用数量和输入电容合理配置电荷泵电容值的重要性。
文章预览
SiLM266x 电荷泵电容配置 应用笔记分享 概述 SiLM2660/61 是一款低功耗、高侧、N 沟道 MOSFET 驱动器，可用于同时驱动多颗 MOSFET 的应用，以帮助用户的电池系统免受电池欠压、过电压或短路等故障的影响。本文旨在描述 SiLM266x 系列在具有不同数量MOSFET的应用下如何配置 Charge Pump 电容容值。 SilM266x电荷泵的应用问题 随着实际应用中 MOSFET 数量的增加，SiLM266x 系列高边驱动的负载电容也随之增加，SiLM266x 需要增加 VDDCP 和 BAT 端子之间的电荷泵电容容值，以提供足够的驱动电荷，保证可靠开通 MOSFET。如果电荷泵电容容值没有随着 MOSFET 的增加而增加，则在某个阈值处，MOSFET 将无法被完全打开，并且 VDDCP 电压将在开通和关断阈值之间反复循环，因为没有足够的电荷来维持正常开启 MOSFET 的电压，如下图 1 所示。 图 1. VDDCP电容不足导致开启失败示例 SiLM266x 的
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