消息称三星电子正研发“3.3D”先进封装技术，目标 2026 年二季度量产

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IT之家 7 月 3 日消息，韩媒 ETNews 近日报道称，三星电子 AVP 先进封装部门正在开发面向 AI 半导体芯片的新型“3.3D”先进封装技术，目标 2026 年二季度实现量产。 韩媒给出的概念图显示，这一 3.3D 封装技术整合了三星电子多项先进异构集成技术。 ▲ 图源 ETNews 概念图中 GPU（AI 计算芯片）垂直堆叠在 LCC（IT之家注：即 SRAM 缓存）之上，两部分键合为一体，这点类似于三星电子现有 X-Cube 3D IC 封装技术。 ▲ 三星  X-Cube 封装技术 而在 GPU+LCC 缓存整体与 HBM 内存的互联中，这一 3.3D 封装技术又与 I-CubeE 2.5 封装技术有不少相似之处： ▲ 三星 I-CubeE 封装技术 GPU+LCC 缓存整体和 HBM 位于铜 RDL 重布线中介层上，用硅桥芯片实现裸晶之间的直接连接，而铜 RDL 重布线层又位于载板上方。 这一设计在大部分位置采用铜 RDL 重布线层代替价格可达前者十倍的硅中介 ………………………………