CoolSiC™ MOSFET Gen2助力英飞凌革新碳化硅市场

主要观点总结

英飞凌凭借CoolSiC™ MOSFET Gen2技术在碳化硅市场取得领先地位。该技术在效率、功耗、封装技术等方面相比上一代产品有明显优势。CoolSiC™ MOSFET Gen2还具有高功率密度、更小磁性元件、更高功率上限等优点。英飞凌能从设计角度帮助客户轻松过渡到新一代产品，并提供了广泛的应用领域。目前，英飞凌在碳化硅领域有着成功的历史和全面的部署。

关键观点总结

关键观点1: 英飞凌凭借CoolSiC™ MOSFET Gen2技术实现更高效率和更低功耗。

英飞凌在碳化硅市场的领先地位得益于CoolSiC™ MOSFET Gen2技术的高性能表现。该技术能够显著提高效率并降低功耗，相较于上一代产品有着明显的优势。

关键观点2: CoolSiC™ MOSFET Gen2具有更高的功率密度和更小的磁性元件。

相较于传统的硅基产品，碳化硅器件的开关频率更高，能够实现更高的功率密度。此外，CoolSiC™ MOSFET Gen2技术使得系统可以使用更加小巧的磁性元件，从而大幅缩小系统的尺寸和重量。

关键观点3: 英飞凌客户可以轻松地从前代产品过渡到新一代产品。

英飞凌在规划CoolSiC™ MOSFET Gen2时，除了确保为客户大幅提升性价比之外，还确保从设计的角度能够轻松快速地从上一代产品过渡到新一代产品。

关键观点4: 英飞凌在碳化硅领域有着成功的历史和全面的部署。

作为第一家将商用碳化硅产品推向市场的公司，英飞凌在碳化硅领域有着悠久而成功的历史。目前，英飞凌已经为未来做好了部署，所有关键要素均已就位，将继续推动碳化硅业务的发展。

文章预览

英飞凌凭借CoolSiC™ MOSFET Gen2技术，再度突破极限，实现更高效率、更低功耗，这也使英飞凌在日益发展且竞争激烈的碳化硅市场，屹立于创新浪潮之巅。在过去三年，碳化硅市场经历了蓬勃发展，特别是在全球能源转型相关应用领域，例如，光伏、储能、电动汽车和电动汽车充电基础设施。英飞凌CoolSiC™产品系列在这些领域大有可为。 👇🏻扫码下载英飞凌碳化硅白皮书👇🏻 CoolSiC™ MOSFET是被许多应用所青睐的功率半导体。以电动汽车充电站为例，CoolSiC™ MOSFET将来自电网的电力转换为汽车电池的电能——而且损耗水平明显低于任何形式的硅基产品。请问CoolSiC™ MOSFET Gen2与上一代产品相比，在这方面有什么优势？  英飞凌： 凭借CoolSiC™ MOSFET Gen2技术，我们再次在降低功耗方面取得了巨大突破。例如，更加高效的Gen2芯片与更为先进的封装技术相 ………………………………