imec展示基于High-NA EUV曝光的逻辑与DRAM结构

文章预览

近日，比利时微电子研究中心（imec）在荷兰 Eindhoven 与ASML合作建立的高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻实验室中，利用径 0.55NA EUV光刻机 (TWINSCAN EXE:5000) ，发布了曝光后的图形化元件结构。 imec表示，在单次曝光后，9nm和5nm（间距19nm）的随机逻辑结构、中心间距为30nm的随机通孔、间距为22nm的二维特征，以及间距为32nm的动态随机存取记忆体（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。通过这些研究成果，imec证实该光刻技术的生态系统已经准备就绪，能够实现高分辨率的 High NA EUV 单次曝光。 由ASML与imec共同成立于荷兰 Eindhoven 的High NA EUV光刻实验室在近期启用后，客户现在可以使用 High NA EUV光刻机 来开发非公开的High NA EUV应用案例，这些案例也能运用客户各自的设计规则和布局。 imec成 ………………………………