Npj Comput. Mater.: 存储器的电写磁读：有赖二维磁电耦合异质结构？

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海归学者发起的公益学术平台 分享信息，整合资源 交流学术，偶尔风月 在二维材料的研究中，铁性材料如铁磁、铁电和铁谷材料由于其序参量具有非易失性，可逆性和双稳定性的性质，是数据储存、传感器和执行器应用领域的明星材料。磁电耦合材料因其低能耗，快读写等优点，是“电写磁读”功能研究的热点二维材料。然后由于铁磁和铁电的结构对称性以及d轨道填充不兼容问题，导致很难同时实现铁电铁磁并具有磁电耦合功能。 Fig. 1 | Crystal and band structures of MnI3 and In2Se3 monolayers, and their stacking configurations. 来自四川大学力学系的田晓宝、梁英团队通过组合二维铁电In 2 Se 3 和铁磁MnI ₃ 材料构建In ₂ Se ₃ /MnI ₃ 异质结，并预测了异质界面的磁电耦合特征。他们运用第一性原理计算方法，分析了其结构稳定性，揭示了界面接触特性与磁电耦合效 ………………………………