ACS Photonics: 基于单一取向PtSe2薄膜的高速宽带 PtSe2/Si 2D-3D pin光电探测器

主要观点总结

文章介绍了闽南师范大学柯少颖教授团队与中国科学院上海技术物理研究所王振研究员、云南大学王茺研究员合作的研究成果，关于采用热辅助转换法合成高质量结晶取向单一的PtSe2薄膜，并首次制备出了基于PtSe2/n - -Si/n + -Si pin结构的宽带高速红外探测器。

关键观点总结

关键观点1: 研究成果

成功合成高质量结晶取向单一的PtSe2薄膜，并首次制备出了基于PtSe2/n - -Si/n + -Si pin结构的宽带高速红外探测器，实现了高速响应和宽频探测。

关键观点2: 合作团队

该工作是闽南师范大学柯少颖教授团队与中国科学院上海技术物理研究所王振研究员、云南大学王茺研究员合作完成的。

关键观点3: 技术方法

采用热辅助转换法在大管径石英管式炉内合成PtSe2薄膜，通过调控样品的放置高度、硒化温度以及载气流量获得了高质量的PtSe2薄膜。

关键观点4: 器件性能

基于PtSe2/n - -Si/n + -Si pin结构的器件展现出高达~125 KHz的3 dB频率响应，在红外成像方面有着极佳的表现。

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