主要观点总结
本文主要介绍了SiC MOSFET功率器件的短路（SC）和非钳位感性负载开关（UIS）失效的基本原理，以及相关的测试方法和波形图。文章还提到了昕感科技推出的SiC MOSFET系列产品的特性和可靠性。
关键观点总结
关键观点1: 短路（SC）失效原理
SiC MOSFET在短路时，电流迅速上升，功率损耗大，结温迅速升高，可能导致器件失效。硬开关短路模式下，短路过程分为几个时间段，每个时间段的电流和结温变化不同。
关键观点2: UIS失效原理
UIS失效是功率MOSFET中的主要安全问题之一，通常是由于寄生体二极管雪崩击穿导致反向泄露电流迅速增加，使器件结温超过热击穿的临界温度。
关键观点3: SiC MOSFET的特性
昕感科技推出的SiC MOSFET系列产品具有优异的鲁棒性，短路耐受时间长达3us，最大雪崩击穿耐受能量EAS达到6J以上。
关键观点4: 昕感科技的产品优势
昕感科技是国内领先的SiC功率器件和模块研发生产商，产品性能和可靠性与国际一流企业相当，已在多个电压平台上完成量产，广泛应用于多个领域。
文章预览
在绝大多数电力电子应用中，功率器件主要用于导通和截止状态之间的切换，为了获得最佳效率，需要降低开关损耗，并且减少过冲情况[1]。针对安全工作区（SOA）的功率器件工作状态示意图如图1所示。导通和截止状态之间的转换可以遵循各种轨迹进行，目的是根据需要来调整开关性能，例如软开关技术和谐振变换。但是，在实际应用中，器件还需要安全地承受许多在SOA以外的瞬时情况，例如非钳位感性负载开关（UIS）和短路（short circuit）。 图1 功率器件工作状态简图 短路（SC）与非钳位感性负载开关（UIS）失效 的基本原理 1. 短路（SC）失效的基本原理 与以前的Si基IGBT相比，SiC MOSFET拥有更低的导通电阻、更高的阻断电压和工作结温，并且在关断过程中SiC MOSFET几乎没有拖尾电流，这可以降低开关损耗，提高开关速度，更快的开关速度意味着更
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