昕课堂丨一文了解SiC MOSFET 鲁棒性原理

主要观点总结

本文主要介绍了SiC MOSFET功率器件的短路（SC）和非钳位感性负载开关（UIS）失效的基本原理，以及相关的测试方法和波形图。文章还提到了昕感科技推出的SiC MOSFET系列产品的特性和可靠性。

关键观点总结

关键观点1: 短路（SC）失效原理

SiC MOSFET在短路时，电流迅速上升，功率损耗大，结温迅速升高，可能导致器件失效。硬开关短路模式下，短路过程分为几个时间段，每个时间段的电流和结温变化不同。

关键观点2: UIS失效原理

UIS失效是功率MOSFET中的主要安全问题之一，通常是由于寄生体二极管雪崩击穿导致反向泄露电流迅速增加，使器件结温超过热击穿的临界温度。

关键观点3: SiC MOSFET的特性

昕感科技推出的SiC MOSFET系列产品具有优异的鲁棒性，短路耐受时间长达3us，最大雪崩击穿耐受能量EAS达到6J以上。

关键观点4: 昕感科技的产品优势

昕感科技是国内领先的SiC功率器件和模块研发生产商，产品性能和可靠性与国际一流企业相当，已在多个电压平台上完成量产，广泛应用于多个领域。

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