主要观点总结
本文报道了多个领域的科技发展动态，包括泰矽微的“一种多开关控制电路及芯片”专利获授权，奥飞声学的“一种MEMS结构”专利获授权，华虹宏力的“SGT器件的制造方法”专利公布，以及国家纳米中心在基于基因编辑的脑机接口增强技术方面和中国科学院国家纳米科学中心在新型生物神经界面技术方面取得的进展等。此外，还包括复旦大学芯片院在基于二维铁电异质结物理储备池计算领域的进展和其他芯片行业新闻。
关键观点总结
关键观点1: 泰矽微的“一种多开关控制电路及芯片”专利获授权
天眼查显示上海泰矽微电子有限公司取得名为“一种多开关控制电路及芯片”的专利，该专利提供了一种多开关控制电路及芯片，包括安全警告单元、安全选择单元等。
关键观点2: 奥飞声学的“一种MEMS结构”专利获授权
安徽奥飞声学科技有限公司取得名为“一种MEMS结构”的专利，该专利涉及一种MEMS结构，包括衬底、电极层和压电层等。
关键观点3: 华虹宏力的“SGT器件的制造方法”专利公布
上海华虹宏力半导体制造有限公司公布了一种SGT器件的制造方法，涉及半导体集成电路制造技术领域。
关键观点4: 国家纳米中心在基于基因编辑的脑机接口增强技术方面取得进展
中国科学院国家纳米科学中心方英和田慧慧研究团队在脑机接口增强技术方面取得进展，提出了一种新型生物神经界面技术，涉及基因编辑技术在神经电极周围组织的基因沉默等。
关键观点5: 复旦大学芯片院在基于二维铁电异质结物理储备池计算领域取得进展
复旦大学芯片院报道了一种基于CuInP2S6(CIPS)/石墨烯异质结平面器件的单节点储备池计算系统用于实现关键词检测任务，展示了二维异质结器件在物理计算中的应用潜力。
文章预览
1.泰矽微“一种多开关控制电路及芯片”专利获授权 2.奥飞声学“一种MEMS结构”专利获授权 3.华虹宏力“SGT器件的制造方法”专利公布 4.国家纳米中心在基于基因编辑的脑机接口增强技术方面获进展 5.复旦大学芯片院在基于二维铁电异质结物理储备池计算领域取得进展 1.泰矽微“一种多开关控制电路及芯片”专利获授权 据天眼查显示，上海泰矽微电子有限公司近日取得一项名为“一种多开关控制电路及芯片”的专利，授权公告号为CN118282372B，授权公告日为2024年8月9日，申请日为2024年6月3日。 本申请实施例提供了一种多开关控制电路及芯片，该多开关控制电路，包括：安全警告单元，用于输入N个初始开关控制信号，并当满足预设规则时，输出第一告警信号；当不满足预设规则时，输出第二告警信号；N个安全选择单元，每个安全选择单元用于输入一
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