主要观点总结
本文主要介绍了功率MOSFET在功率器件领域的应用背景，以及Super Junction MOS的特点和现有技术的问题。针对这些问题，芯达茂提出了一种新的Super Junction MOS器件制备方法和结构，通过加入Split-gate结构来降低Qg和提高开关速度。文章还详细描述了这种制备方法的流程。
关键观点总结
关键观点1: 功率MOSFET和Super Junction MOS的应用及问题
文章介绍了功率MOSFET在开关器件结构中的广泛应用，以及Super Junction MOS的特点。现有Super Junction MOS存在Qg不够小、开关速度慢的问题，需要新的技术和方法来解决。
关键观点2: 芯达茂的Super Junction MOS器件制备方法
为解决上述问题，芯达茂设计了一种新的Super Junction MOS器件制备方法。该方法通过加入Split-gate结构，结合Super_Junction和Split-Gate的优点，有效降低MOS的Qg和Rdson，提高开关速度及减少开关损耗。
关键观点3: 制备流程
文章详细描述了这种新的Super Junction MOS器件的制备流程，包括形成第一沟槽和第二沟槽、全面淀积P+型杂质、CMP研磨、表面场氧化、光刻蚀刻、形成第三沟槽、栅氧化层的生长、多晶硅的淀积、B注入形成P+沟道区、As注入形成N+源极区等步骤。
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