单片集成的短波红外光电二极管阵列

文章预览

短波红外（SWIR）成像技术在多个领域具有重要应用，但目前使用的半导体材料如锗（Ge）、铟镓砷（InGaAs）和汞镉碲（HgCdTe）等存在成本高和集成难度大的问题。碲硒合金（TeₓSe₁₋ₓ）作为一种新型红外材料，因其简单的元素组成、可调的带隙、低毒性和低熔点，显示出与硅基读出集成电路（ROIC）单片集成的潜力。TeₓSe₁₋ₓ具有独特的一维晶体结构，能够减少悬挂键缺陷，从而提高光电探测器的性能。然而，对于非（hk0）取向的TeₓSe₁₋ₓ薄膜，表面悬挂键缺陷需要有效的钝化策略。目前，TeₓSe₁₋ₓ薄膜光电探测器存在暗电流大的问题，限制了其在大规模阵列中的应用。为了提高性能，需要通过引入适当的界面层来消除元素扩散和钝化ZnO/TeₓSe₁₋ₓ界面处的悬挂键缺陷。 据麦姆斯咨询报道，近日，华中科技大学唐江教授和陈超副教授 ………………………………