技术分享 | SiC MOSFET串扰特性

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前言 第三代宽禁带半导体材料SiC相对Si器件具有更快的开关速度，更高的耐压能力以及更好的温度特性，相应地带来更小的损耗，系统磁性元器件体积减小，功率密度的提升等优势。然而，随着SiC MOSFET开关频率的不断增加，在半桥结构（如逆变电路、全桥电路等） 桥臂串扰现象 越发严重，易造成 桥臂直通短路或影响可靠性 ，限制了SiC MOSFET开关频率及系统功率密度进一步提高。 串扰产生原因  开关速度： SiC MOSFET具有更快的切换速度，在开关动作瞬间产生高 dv/dt（电压变化率）和高 di/dt（电流变化率）。 - 正 dv/dt： 在 米勒 电容（Crss ，MOSFET 中漏极 - 栅极之间的电容）上产生流向驱动侧的位移电流，在栅极阻抗引起 正向感应电压 ，叠加在栅源极上会引起栅源极电压抬升。 - 负 dv/dt ： 在米勒电容上产生流向器件侧的位移电流，在栅极阻 ………………………………