重磅！英飞凌发布新一代碳化硅器件方案，助力低碳化和数字化目标达成

主要观点总结

英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁在宽禁带论坛上强调了半导体解决方案在实现气候目标中的重要性，并展示了英飞凌的宽禁带半导体产品和解决方案。英飞凌展示了新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET的相关产品，预计全球碳化硅与氮化镓市场将随着技术发展而增长。英飞凌科技的宽禁带产品旨在助力能源效率提升，帮助实现低碳化。

关键观点总结

关键观点1: 英飞凌强调半导体解决方案在实现气候目标中的重要性。

电子发烧友网报道指出英飞凌可以通过半导体解决方案实现低碳化效果，其在宽禁带半导体领域发挥引领作用。

关键观点2: 英飞凌展示了新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET的相关产品。

在慕尼黑上海电子展上，英飞凌展示了其第三代半导体的产品解决方案，包括新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET的相关产品。

关键观点3: 全球碳化硅与氮化镓市场发展趋势及展望。

Yole Group化合物半导体资深分析师邱柏顺分享了全球碳化硅与氮化镓市场的最新趋势，包括使用绿色能源和器件达到节能效果的三大趋势，以及预计到2029年WBG将占全球电力电子市场的近33%。

关键观点4: 英飞凌的宽禁带产品在提升能源效率方面的作用。

英飞凌科技的宽禁带产品如何助力能源效率提升，包括在发电和用电端的应用，以及基于SiC和GaN技术的产品如何为下一代电子产品注入动力。

关键观点5: 市场趋势和技术创新对宽禁带半导体领域的影响。

市场趋势深入剖析了新能源汽车、光伏、储能等领域对宽禁带半导体需求的快速增长，随着技术的不断成熟和成本的逐步下降，宽禁带半导体将迎来更广阔的发展空间。

文章预览

电子发烧友网报道（文/章鹰）“半导体解决方案是实现气候目标的关键，英飞凌可以通过半导体解决方案，达到低碳化的效果。宽禁带半导体SiC、GaN，体积比较小，密度高，效能高，在解决气候问题的时候可以发挥最优效果。作为行业领导者，英飞凌凭借持续的技术革新与市场布局，在宽禁带半导体领域发挥着引领作用，致力于满足经济社会发展对于更高能效、更环保的半导体产品的需求。”7月9日，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟在2024英飞凌宽禁带论坛上表示。 英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟 7月8日到10日，在慕尼黑上海电子展E4馆内，英飞凌展示了第三代半导体的产品解决方案。记者探访展台的时候，看 ………………………………