中国资本和市场助攻，FD-SOI挑战主流FinFET工艺

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本文来自国际电子商情，感谢原作者付出，如转载不当，请及时联系后台，谢谢。 来自中国的资本投入和客户市场，将使得FD-SOI阵营快速拓展市场版图，不过，中芯国际和台积电押注主流FinFET工艺…… 尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆硅(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)工艺有可能继Globalfoundries宣布12纳米计划之后快速成长；而市场研究机构International Business Strategies (IBS)资深分析师Handel Jones表示，三星(Samsung)或将在中国上海成立的一座新晶圆厂是否会采用FD-SOI工艺技术，会是其中的重要因素。 获得英特尔(Intel)、三星、台积电(TSMC)等大厂采用的FinFET工艺，号称能提供最高性能与最低功耗；但Jones指出，在约当14纳米节点，FD-SOI每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%，此外其设计成本也低25%左右 ………………………………