浙江大学赵保丹&狄大卫最新Nature：发射钙钛矿半导体中可控的p型和n型行为

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       可靠控制电导率及其在半导体中的极性是现代电子的核心，并导致了关键发明，包括二极管，晶体管，太阳能电池，光探，LED和半导体激光器。对于诸如Si和GaN之类的原型半导体，通过将吸电子元素和给电子元素 掺杂 到 晶体晶格 ，将p 型 和n型电导率提高。对于卤化物钙钛矿（一种新兴的半导体）来说，可靠地控制电荷传导行为同时保持高光电品质的机制尚未被发现。鉴于此，2024年9月11日 浙江大学赵保丹 & 狄大卫 于Nature刊发发射钙钛矿半导体中可控的p型和n型行为的研究成果，可以通过加入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂来调整宽带隙钙钛矿半导体中的p型和n型特性。对于p型和n型样品，所得载流子浓度超过 10 13   cm − 3 ，霍尔系数范围从−0.5  m 3   C − 1 （n 型）至0.6  m 3   C − 1 （p 型）。观察到费米能级在带隙中发生了偏移 ………………………………