ACS Nano——突破性高性能！全溶液法制备MoS2薄膜晶体管，结合准二维钙钛矿氧化物介电层

文章预览

文章链接： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.3c06972             摘要 将溶液处理的范德华 (  vdW  ) 材料组装成薄膜，对于构建大规模、高性能薄膜电子器件（尤其是在低温下）具有巨大的前景。 虽然在溶液中组装的过渡金属二硫属化物薄膜已显示出作为沟道材料的潜力，但由于缺乏合适的电介质材料和高温处理，尚未实现完全溶液处理的 vdW电子器件。 在这项工作中，我们报告了全溶液处理的 vdW 薄膜晶体管 (TFT)，它由二硫化钼 (MoS 2  ) 作为沟道和 Dion-Jacobson 相钙钛矿氧化物作为高介电常数电介质组成。通过电化学剥离块体晶体将组成层制备为胶体溶液，然后依次组装成半导体/电介质异质结构以构造 TFT。值得注意的是， 所有制造过程均在低于 250°C 的温度下进行 。制备的 MoS 2  TFT 具有出色的器件特性 ，包括高迁移率（>10 cm 2 V -1 s -1 ）和超过 10 ………………………………