北大-张志勇&彭练矛团队︱碳纳米管阵列晶体管栅叠层中的界面态

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本文来源于北京大学新闻网 ！  一、研究背景 ：    传统硅基金属氧化物半导体（MOS）场效应晶体管逐渐达到其物理、功耗和成本极限，先进节点的集成电路技术亟需新型沟道材料。而具有高迁移率和超薄体特点的低维半导体沟道材料，尤其是碳纳米管，在晶体管的本征性能、能效和微缩能力等方面均展现出理论优势。近年来，基于碳纳米管的碳基电子学在超高半导体纯度和高密度的碳纳米管阵列制备方面取得了巨大突破，从而得以制备出工作频率超越硅基CMOS的高速射频晶体管和面向90nm乃至10nm技术节点的超微缩数字逻辑晶体管，显示出了巨大的技术潜力。然而，碳基MOS器件的栅工艺质量仍然不理想，其界面态密度相比硅基器件高了至少两个量级，这严重限制了器件性能、能效和可靠性。此外，目前仍然缺乏系统的碳基界面态研究模型，因此难 ………………………………