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研究背景 随着二维材料物理学和拓扑材料研究的深入发展,扭曲双层石墨烯(tBLG)和moire过渡金属二硫化物的研究吸引了广泛的关注。这些材料由于其在外加磁场下表现出的复杂电子行为和新奇的相变现象而备受关注。其中,重要的概念包括几何烦躁现象和相关绝缘态,这些概念揭示了在周期性超晶格和磁场作用下电子的非常规行为。然而,迄今为止,对于在扭曲石墨烯系统中的电荷载体几何烦躁效应的理解尚不充分,特别是在三角moire格子中的应用。 在这些复杂系统中,电子的运动受到周期性结构和外部条件(如磁场)的强烈影响,导致多种可能的基态出现。特别地,整数和分数切尔尼数态的竞争及其与电子局域化和相互作用之间的复杂平衡使得理论理解面临挑战。此外,尚未深入探讨的问题是如何解释几何烦躁对电荷有序态的影响,以及如何
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