Nat. Electron.: 高迁移率n型二硫化钼晶体管中的分数量子霍尔相

主要观点总结

该文章介绍了一项关于过渡金属二硫族化合物（TMD）的研究，该研究中在n型二硒化钨（WSe2）中观察到分数量子霍尔效应。文章还介绍了辽宁材料实验室等多家单位合作的研究成果，展示了在Nature Electronics期刊上发表的工作，该工作在n型硫化钼（MoS2）晶体管中观察到了分数量子霍尔相。文章包括研究背景、成果介绍、图文导读、总结展望和文献信息。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

介绍了低温下过渡金属二硫族化合物的高迁移率、强自旋-轨道耦合和大有效质量等特性，以及它们在研究各种电子相互作用中的应用。其中，分数量子霍尔态是其中一种由相互作用驱动的现象。

关键观点2: 成果介绍

描述了辽宁材料实验室/山西大学韩拯团队等与北京大学、香港科技大学、哥伦比亚大学等合作的研究成果，在Nature Electronics期刊上发表的关于在n型硫化钼晶体管中观察到分数量子霍尔效应的工作。该工作展示了一种窗口接触技术，可以在高温范围内创建与硫化钼的欧姆接触，并观察到了高场效应电子迁移率和量子迁移率。还通过输运测量观察到了FQH的证据。

关键观点3: 图文导读

通过图表展示了研究成果的相关数据，包括MoS2晶体管的表征、电输运特性、朗道能级谱、分数量子霍尔态等。

关键观点4: 总结展望

总结了本工作的主要成果，包括在低载流子浓度的n型双层MoS2上制备的欧姆接触，以及在高磁场和低温下的电输运特性测量。该工作有助于开发TMD异质结构上的低浓度输运实验，有助于充分利用拓扑分数量子霍尔相。

文章预览

点击蓝字   关注我们 为了方便各位同学交流学习，解决讨论问题，我们建立了一些微信群，作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291； 2.告知:姓名-课题组-研究方向，由编辑审核后邀请至对应交流群(生长，物性，器件)； 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿，免费宣传成果，发布招聘广告，具体联系人：13162018291（微信同号）                         【研究背景】             在低温下，过渡金属二硫族化合物（TMD）晶体管可能具有高迁移率、强自 旋-轨 道耦合和大有效质量等特性。因此，它们可以用于研究各种电子相互作用。其中一种由相互作用驱动的现象是分数量子霍尔（FQH）态—朗道能级（LLs）部分填充时的不可压缩能隙的多体效应。FQH态通过其边缘传导通道显现出来，其传输表现为纵向电阻率 ρ xx 的最小 ………………………………