吉林大学王海波AM：锡基钙钛矿场效应晶体管

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电子技术的发展极大地推动了现代社会的进步，而新型半导体材料的探索是下一代电子器件发展的关键。在新兴半导体材料中，基于金属卤化物钙钛矿的各种光电器件的开发取得了许多重大的进步，但它们在场效应晶体管（ FETs ）中的应用仍然有限。特别是锡基钙钛矿具有较低的 Fröhlich 相互作用，较小的有效质量和较高的迁移率，具有制备高性能 FETs 的潜力。此外，离子迁移是钙钛矿晶体管面临的重要挑战，它可能导致施加的栅场的屏蔽效应和显著的滞后现象。 图 1 采用不同锡补偿剂制备的 FASnI 3  FETs 。 F - 和 FA + 离子之间的氢键有效地抑制了有机阳离子迁移，提高场效应调节特性和减少背景载流子浓度。 吉林大学 王海波 教授课题组探索了离子迁移对锡基钙钛矿（ FASnI 3 ）晶体管性能的影响。 通过对比不同锡补偿剂的影响，说明了 FASnI 3  FETs ………………………………