喜报！让碳化硅疯狂生长-科友半导体晶体厚度突破80mm！

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5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过 80mm ，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶，这也是 国内 首次报道和展示 厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯，厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍，单片成本较原来降低70%，有效提高企业盈利能力 。此批次晶体呈现出微凸的形貌，表面光滑无明显缺陷。 大厚度晶体量测视频       物理气相传输（PVT）法生长碳化硅单晶具有质量可控、工艺成熟的优势，但晶体厚度一直是主要制约，而溶液法在提高晶体厚度方面表现突出，但是目前仍尚未能实现真正的产业化生产。科友半导体基于自研电阻炉，通过借鉴溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生长高厚度晶体的限制，充分利用了PVT法单晶稳定生长的优势，将两种制备方法的优势 ………………………………