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摘要： 导电单壁碳纳米管（s-SWCNTs）是超越摩尔定律、发展下一代电子设备最有前途的材料之一。尽管已经开发出许多方法，但降低s-SWCNTs网络的接触电阻仍然是进一步提高电子性能的重大挑战。在这项研究中， 锑碘化物（SbI3）在低温下被有效地封装在高纯度s-SWCNTs薄膜内，形成了一维SbI3@s-SWCNTs范德华异质结构。 通过敏感的介电力显微镜表征了单个SbI3@s-SWCNTs的半导体-金属转变，结果通过电子器件测试得到确认。电学行为转变归因于层间电荷转移，这一点通过Kelvin探针力显微镜得到证明。此外，s-SWCNTs薄膜晶体管的电学性能在使用SbI3@s-SWCNTs网络作为接触电极时显著提高。这一过程降低了s-SWCNTs通道与电极之间的接触电阻，增强了电学性能。具体来说， 接触电阻降低到原来的三分之一，载流子迁移率提高了约10倍，开关比超过10^6，亚阈值摆动显著降
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