Nature：镁掺杂氮化镓新见解

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0 1 【科学背景】 氮化镓(GaN)因其特有的物理属性，如大的直接带隙、高的量子效率和低的暗电流，已成为光电器件领域的研究焦点。通过掺杂替代镁（Mg）原子可以增加其空穴浓度，获得p型GaN。然而，目前GaN和Mg之间的相互作用的细节仍然不清楚。 0 2 【创新成果】 近日，日本名古屋大学研究人员观察到通过在GaN上退火金属Mg膜可以在大气环境下自发形成Mg插层的GaN超晶格（MiGs）。据作者所知，这标志着首次将二维金属插层到半导体体相中。Mg单层插入到几个六角GaN单层之间，这一过程是间隙插层，导致垂直于间隙层的显著单轴压缩应变。因此，Mg插层的GaN超晶格中的GaN层表现出超过-10%的异常弹性应变（相当于超过20 GPa的应力），是薄膜材料中记录的最高应变之一。应变改变了电子能带结构，并大大增强了压缩方向上的空穴传输。此外，Mg片诱导了G ………………………………