1,000层3D NAND Flash 生产设备已就绪

主要观点总结

泛林集团推出第三代低温介质蚀刻技术Lam Cyro 3.0，针对3D NAND Flash存储器制造。该技术能提高蚀刻速度、降低能耗和排放量，并实现高深宽比图形特征的创建。高级副总裁Sesha Varadarajan表示，该技术为客户实现1,000层堆叠的3D NAND Flash闪存生产做好准备。芯片课程推荐创芯大讲堂。

关键观点总结

关键观点1: 泛林集团推出Lam Cyro 3.0技术

这是针对3D NAND Flash存储器制造的第三代低温介质蚀刻技术，可实现埃米级精度创建高深宽比的图形特征。

关键观点2: Lam Cyro 3.0的优势

该技术能提高蚀刻速度，降低能耗和排放量，对环境影响较小。相较于传统介电技术，Lam Cyro 3.0的蚀刻速度更快，能耗更低。

关键观点3: Lam Cyro 3.0的应用前景

该技术为客户实现1,000层堆叠的3D NAND Flash闪存生产做好准备，并解决现有3D NAND Flash闪存生产中的图形特征问题。

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半导体设备大厂 泛林集团 ( Lam Research ) 宣布，推出针对 3D NAND Flash 存储器制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。 泛林集团 全球产品部高级副总裁 Sesha Varadarajan表示、藉由Lam Cryo 3.0技术的推出，将为客户实现1,000层堆叠3D NAND Flash闪存生产做好准备。 过去，泛林集团的低温蚀刻已被用于超过500万片晶圆的生产，而最新技术是3D NAND Flash闪存生产领域的一项重大技术突破。Lam Cyro 3.0 能以埃米级精度创建高深宽比 （High Aspect Ratio） 的图形特征，同时降低对环境的影响，这使得蚀刻的速度是传统介电技术的两倍多。 泛林集团还强调，Lam Cryo 3.0是针对客户克服AI时代关键NAND Flash闪存制造障碍所需的蚀刻技术。因为在现有3D NAND Flash闪存的生产中，需要借由从组件顶部至底部的细长垂直孔道将各层的储存单元连接起来。而在孔道构建过程中，即使图形特 ………………………………