电子科技大学彭波教授AM：二维异质结多铁，重大突破！

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研究背景 磁电耦合通过磁性和铁电序之间的交叉耦合，为信息的处理和存储打开了大门。然而由于铁磁性和铁电极化之间固有的互斥，磁电耦合通常很弱。通过电压直调磁电耦合实现非易失性磁化翻转是一项重大挑战。 交换偏置（EB）效应是数据存储中开发高灵敏度、高稳定性和高密度的自旋电子器件的一项核心工作原理。尤为重要的是，利用电场控制EB效应对于下一代磁随机存取存储器和自旋电子学具有至关重要的作用。通过调控铁磁/铁电多铁异质结的界面磁电耦合是实现电场调控EB效应的有效途径。然而，在传统多铁异质结中界面磁电耦合通常是一种间接耦合，效应较弱，不利于电场调控。此外，铁磁和多铁材料之间存在晶格失配和界面缺陷，这些问题严重削弱了EB效应，导致目前为止报道的偏置场仅有几十毫特斯拉（mT）。 二维范德华层状 ………………………………