Nat.Electron.：高的迁移率——晶圆级硒化半导体薄膜

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摘要： 溶液法制备的二维半导体可用于大规模、低成本地制造电子设备。然而，基于此类材料的器件电子性能通常低于通过高温化学气相沉积生长的材料所制备的器件。在本研究中，报告了 使用单层纳米片的胶体溶液（单层纯度超过98%）制备硒化铟（InSe）半导体薄膜 。InSe薄膜在4英寸晶圆上组装，单层构建块之间具有紧密且贴合的范德华接触。我们利用溶液法制备的薄膜制造了InSe晶体管，其电子迁移率达到90–120 cm² V⁻¹ s⁻¹，开关电流比高达10⁷，且电流滞后较小。此外，我们还展示了经过氧化物封装的InSe晶体管能够在空气中保持稳定长达3个月。 实验方法： 1. InSe晶体的合成 原料：使用金属级纯度的铟（In）和硒（Se）粉末，摩尔比为1:1。 合成过程： 将In和Se粉末在真空（3×10⁻³ Pa）条件下密封于石英安瓿中。 将密封好的石英安瓿水平放置 ………………………………