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点击关注，即刻掌握前沿技术/资讯！ 文献进展 早在1996年，John Slonczewski和Luc Berger就提出一个理论，即大密度电流可以驱动磁化翻转，这被称为自旋转移矩（spin transfer torque）。该理论指出电荷的运动也可以影响自旋的取向。1998年，这个理论被实验证实后成为了广泛研究的热点。与传统的电子器件（通过操纵非磁性半导体中的电荷来处理信息）不同，自旋电子器件基于电子的自旋，提供了创新的解决方案。为了将自旋电子学纳入现有的成熟半导体技术中，基于自旋的器件通常设计为具有磁性隧道结的核心结构，该结构可以应用到磁性随机存取存储器（MRAM）的生产工艺之中。 近日在 Advanced Science 期刊上发表的一篇 高自旋轨道转矩效率范德华异质结构的研究 ，对如何有效提高自旋轨道转移矩(SOT)效率并尽可能降低临界电流密度进行了进一步讨论。 文
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