案例分享 | 碳化硅（SiC）上管Vgs测试不再难，麦科信光隔离探头来帮忙

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第三代半导体材料，尤其是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），在电动汽车、可再生能源、工业电源、军事和航空航天、快充技术、无线通信、消费电子等领域中展现出巨大的市场前景。这些材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，使其在高温、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件下表现出色。这些材料虽然具有显著的性能优势，但开关速度很快的特点也给测试测量带来了不小的挑战。 案例简介       在实际应用中，碳化硅上管Vgs的测量是一个技术痛点。 碳化硅 器件的开关速度很快，这会导致其高频谐波成分依然具有很大的谐波能量，在实际开发调试过程中，会观察到上管Vgs出现信号振荡的现象，而工程师却无法判断信号的真实性，这就要求测试设备在高频段依然具有很高的共模抑制能力。 测试实例 ●  被测设备： ………………………………