内存墙：DRAM 的过去、现在与未来

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点击下方 卡片 ，关注“ 慢慢学AIGC ” 3D DRAM 革命中的赢家和输家 当今世界越来越多地质疑摩尔定律的终结，但实际上它已在十多年前悄然落幕， 没有任何标题和喧嚣。 人们通常关注逻辑芯片，但摩尔定律一直也适用于 DRAM。 DRAM 已经无法继续扩展了。在辉煌时期，内存密度每 18 个月翻一番 - 甚至超过了逻辑芯片。这意味着每十年密度增加 100 多倍。但在过去十年中，扩展速度已经大幅放缓，密度仅增加了 2 倍。 随着 AI 的爆发性增长，行业平衡被进一步打破。虽然逻辑芯片在密度和每晶体管成本功能方面都有显著改进，但 DRAM 速度的提升却很缓慢。尽管存在一些恐慌情绪，但在台积电的 3 nm 和 2 nm 节点上，每个晶体管的成本仍在继续下降。而在内存方面，带宽的提升主要依赖于复杂且昂贵的封装技术。 高带宽内存(HBM) 是加速器内存的核心， 每 G ………………………………