808nm VCSEL 的研究成果

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01 国外研究成果 808nmVCSEL难以实现高功率输出的重要原因是由于GaAs材料对808nm的强 吸收。随着VCSEL的不断发展，808nm VCSEL的性能得到了极大的改善。 2004年德 国U-L-M photonics 制备了808nm 阵列作为泵浦源，单管的出光口径为25um，输出 功率是25mW，电光转换效率大于25%。 在研制980nm以及808nm波段的VCSEL阵列方面，美国的Princeton Optronics 公司位于世界前列。 2009 年，该公司对高功率808nm VCSEL进行了深入的研究和样 品开发，使用顶发射氧化限制结构制备了单管效率达到49%的样品。 因为GaAs对于 808nm波段有强烈的吸收，该公司对顶发射工艺步骤进行了优化，在制备过程中，使 用较复杂的衬底去除法，如图1.3 所示["2]， 不但使工艺制备、材料生长的难度提高, 同时使工艺成本增加且使成品率降低。 在室温条件下，器件直径为15μm的单管,阈值电流为0.98mA,斜率效率75.2% ………………………………