长飞先进武汉碳化硅基地，将提前2个月量产通线！

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点击参与： 新一届“中国芯”最全日程公布 （珠海） ”10月28日，武汉新城长飞先进武汉基地项目部，项目负责人看着火热的建设现场兴奋不已。 去年8月25日，武汉东湖高新区管委会与长飞先进签署第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议。7天后，项目正式启动建设。 长飞先进武汉基地是武汉新城诞生的第一个项目，聚焦第三代半导体功率器件研发与生产。 长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹介绍，碳化硅是第三代化合物半导体的典型代表，凭借耐高温、耐高压、高频化、低损耗等材料优势，能够大幅提高器件的能源转化效率、减少能耗并降低系统成本，将逐步取代传统硅基器件进而成为未来功率器件的主流。 在他看来，第三代化合物半导体在新能源汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通等领域具有广阔的应用场景。“我 ………………………………