Nano Lett. | 武汉大学：AlGaN基超薄极化隧道结深紫外LED芯片

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英文原题：AlGaN Polarized Ultrathin Tunneling Junction Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes 通讯作者： 周圣军，武汉大学 作者： Ziqi Zhang (张子琦), Shengjun Zhou (周圣军), Zhefu Liao (廖喆夫), Jingjing Jiang (蒋晶晶), Hansong Geng (耿寒松), Zhenxing Lv (吕振兴), Xu Liu (刘旭), Shengli Qi (齐胜利), Sheng Liu (刘胜) 背景介绍 随着联合国通过《水俣公约》，汞灯的生产和使用逐渐受到限制，发展替代传统气态汞灯的新型深紫外光源成为迫切需求。与传统汞灯相比，发光波长在210 nm-300 nm之间的AlGaN基深紫外LED芯片具有节能、环保、体积小、易集成、响应快、寿命长、波长可调等诸多优点，在杀菌消毒、紫外光疗、水净化、空间探测和集成电路光刻等领域有广泛的应用价值。然而，传统p-GaN接触层对深紫外光具有强烈的吸收作用，大部分深紫外光在内部多次反射过程中被p-GaN吸收，导致深紫 ………………………………