为超紧凑型EV牵引逆变器打造的高效SiC MOSFET芯片

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“ 在PCIM Asia 2024展会上，赛晶科技旗下子公司SwissSEM隆重推出了其创新力作——1200V/13mΩ高性能SiC MOSFET芯片。这一里程碑式的发布，不仅彰显了公司在半导体技术领域的深厚底蕴与前瞻视野，更引领了行业发展的新风向。 作者：Bodo’s功率系统杂志编辑部 SwissSEM Chip R （VP）Lars Knoll在《引领高温导通电阻新纪元：1.2kV SiC MOSFET，专为电动汽车紧凑型逆变器量身打造》报告中，深入剖析了该款芯片如何在极端高温环境下依然保持行业领先的低导通电阻特性，完美契合了电动汽车领域对高效能、紧凑化逆变器日益增长的需求，为新能源汽车的续航能力与动力性能提升注入了强劲动力。     赛晶科技SiC MOSFET芯片 SiC沟道性能的挑战 碳化硅（SiC）具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，是良好的半导体材料，广泛应用于 ………………………………