主要观点总结
本文主要介绍了晶圆在光刻过程中需要保持极致平坦的原因，以及为了提高成像精度，牺牲了对焦能力的情况。同时，介绍了晶圆抛光工艺中的机械抛光法、化学抛光法和化学机械抛光法（CMP）等三种方法，并阐述了它们的特点和应用。此外，文章还提到了CMP后清洗的重要性和桑德斯微电子（SMC）公司的相关信息。
关键观点总结
关键观点1: 晶圆在光刻过程中需要保持极致平坦以提高成像精度。
随着芯片制程的缩小，增大镜片的数值孔径会导致焦深的下降，因此需要保证晶圆表面的平坦度。
关键观点2: 晶圆抛光工艺包括机械抛光法、化学抛光法和化学机械抛光法（CMP）。
机械抛光靠切削和塑性变形去掉凸部得到平滑面；化学抛光优先溶解表面微观凸出的部分；CMP则是将机械摩擦和化学腐蚀相结合进行抛光，达到优缺互补的效果。
关键观点3: CMP后清洗的重要性。
CMP后的清洗需要去除晶圆上的颗粒、有机残留物和金属污染物，且不会产生划痕、水痕等不良影响。
关键观点4: 桑德斯微电子（SMC）是一家高新技术企业，其半导体芯片、大功率半导体器件等产品广泛应用于多个尖端领域。
SMC成立于1997年，集研发、设计、制造、销售为一体。
文章预览
在光刻时，晶圆的表面需要保持极致的平坦。这是因为随着芯片制程的缩小，光刻机的镜头要实现纳米级的成像分辨率，就得增大镜片的数值孔径（Numerical Aperture），但这同时会导致焦深（DoF）的下降。 ▲ 图源网络 焦深是指光学成像的聚焦深度，要想保证光刻图像清晰不失焦，晶圆表面的高低起伏就必须落在焦深范围之内。简单说就是光刻机为了提高成像精度，牺牲了对焦能力。 还有很多芯片工序也需要打磨晶圆： 湿 法刻蚀后要打磨，以紧致腐蚀的粗糙面，方便涂胶沉积； 浅 槽隔离（STI）后要打磨，磨平多余的氧化硅完成沟槽填充； 金 属沉积后要打磨，去除溢出的金属层，防止器件短路。 因此一枚芯片的诞生，中间要经历很多次打磨抛光来降低晶圆的粗糙度和高低起伏，去除表面多余的物质。此外，晶圆上的各类工艺问题导致的表面
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