研究前沿：辽宁材料实验室/山西大学韩拯团队 | 二硫化钼-欧姆接触 | Nature Electronics

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理论上，基于半导体过渡金属二硫属化物的晶体管，可以在量子基态提供高载流子迁移率、强自旋-轨道耦合和固有的强电子相互作用。从而非常适合在低温时，用于纳米电子学。然而，在低温时，过渡金属二硫族化物层形成坚固的欧姆接触，是很困难的。导致不可能达到费米能级接近带边的量子极限，从而探测分数填充朗道能级区域中的电子关联。 今日，辽宁材料实验室/山西大学韩拯Zheng Vitto Han团队联合多家单位在Nature Electronics上发文，报道了利用窗口接触技术，从毫开尔文到300K的温度范围内，创建了n型二硫化钼的欧姆接触。 在低温时，在导带中，观察到超过100,000cm2V−1s−1的场效应迁移率和超过3,000cm2V−1s−1量子迁移率。还报道了在双层二硫化钼的最低朗道能级中，填充分数为4/5和2/5的分数量子霍尔态证据。 第一作者： Siwen Zhao, Jinqiang Huang, ………………………………