北京大学，再发Nature Materials！

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研究背景 器件架构和材料的创新促进了晶体管的小型化，从而提高了性能、能效和集成密度。在可预见的埃级节点，基于二维（2D）半导体的门控全环绕（GAA）场效应晶体管将提供出色的电场栅控性，实现最终的功率缩放和性能提升。 然而，一个主要的瓶颈在于二维GAA异质结构与原子平滑且符合的界面可扩展集成。 鉴于此， 北京大学彭海琳教授、邱晨光研究员、谭聪伟以及彭练矛院士等人 在“Nature Materials”期刊上发表了题为“Low-power 2D gate-all-around logics via epitaxial monolithic 3D integration”的最新论文。本文报道了一种通过低温单片三维集成实现的晶圆级多层堆叠单晶二维GAA结构，其中高迁移率二维半导体Bi 2 O 2 Se通过高-κ分层本征氧化物介质Bi 2 SeO 5 外延集成，具有原子平滑的界面，能够实现280 cm² V⁻¹ s⁻¹的高电子迁移率和62 mV dec⁻¹的接 ………………………………