英伟达黄仁勋反驳三星HBM3e有问题

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近日，英伟达(NVIDIA)执行长黄仁勋在2024年中国台北国际电脑展上对三星HBM因过热问题而未能通过测试的报道进行了反驳。 他表示，英伟达正在努力测试三星和美光生产的HBM芯片，但目前尚未通过测试，因为还有更多的工程工作要做。其中特别针对三星HBM产品的质量问题，黄仁勋表示，认证三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒体所报道的因芯片过热问题未通过质量测试。他重申，英伟达与三星的合作进展顺利。 此前，三星也坚决否认有关其高带宽存储（HBM）产品未能达到英伟达质量标准的报道。三星电子在一份声明中表示，正在与全球各合作伙伴密切合作，不断测试技术和性能以确保其产品的质量和可靠性。 3月下旬，黄仁勋在美国加州圣何塞会议中心举行的年度开发者大会上参观了三星电子展台，他在HBM3E展台标牌上写下了“Jensen Approv ………………………………